Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Розуван Т$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
1. |
Розуван Т. С. Наноокислення міді [Електронний ресурс] / Т. С. Розуван, І. А. Шайкевич, С. Г. Розуван // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2015. - Вип. 1. - С. 219-222. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2015_1_41 Нанокластери окислів міді вивчались за допомогою скануючої тунельної мікроскопії. Зареєстровано двофазну структуру кластерів з просторовою роздільною здатністю 0,12 нм. Просторовий розподіл хвильових функцій, а також "замивання" країв забороненої зони нанооксидованих ділянок було знайдено під час числових розрахунків за методом функціоналу густини. Електричну провідність нанокластерів було проаналізовано з точки зору формалізму фізики твердого тіла аморфних тіл.
| 2. |
Розуван Т. С. Оптична анізотропія наноструктурованої поверхні піролітичного графіту [Електронний ресурс] / Т. С. Розуван, Л. В. Поперенко, С. Г. Розуван, І. А. Шайкевич // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2016. - Вип. 1. - С. 189-192. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2016_1_34 Високоорієнтований піролітичний графіт з наноструктурами у вигляді сходинок на його гранях вивчався за допомогою скануючої тунельної мікроскопії та кутово залежної еліпсометрії. Еліпсометричні параметри відбитого світла від поверхні графіту проявили анізотропію, яку було пояснено за допомогою числового розв'язку рівнянь Максвела для плоскої електромагнітної хвилі поблизу поверхі наноструктур.Високоорієнтований піролітичний графіт з наноструктурами у вигляді сходинок на його гранях вивчався за допомогою скануючої тунельної мікроскопії та кутово залежної еліпсометрії. Еліпсометричні параметри відбитого світла від поверхні графіту проявили анізотропію, яку було пояснено за допомогою числового розв'язку рівнянь Максвела для плоскої електромагнітної хвилі поблизу поверхі наноструктур.
|
|
|